公司与中科院半导体研究所建立联合实验室
发布日期:2015-07-13浏览人次:3441

2015年7月7日,公司与中国科学院半导体研究所在昆明市高新区云南国家锗材料基地内举行“云南临沧鑫圆锗业股份有限公司-中国科学院半导体研究所光电半导体材料联合实验室”揭牌仪式。

联合实验室的成立,将为双方相关产业及科研提供良好的研发平台。双方将开展相关合作研究和技术开发,就重点系统研究解决产业化中低成本单晶生长炉的设计与改造技术,研究开发高产能大直径低位错密度单晶生长关键工艺技术、高平整度开盒即用抛光晶片加工关键技术、光电半导体单晶片批量生产中质量和成本控制技术进行合作。

公司董事长包文东先生,中国科学院院士、中国科学院半导体研究所所长李树深先生共同为联合实验室揭牌。

云南省科技厅龙江厅长、云南省工业和信息化委员会李艳处长、昆明市科技局刘燕琨局长、昆明市工业和信息化委员会陈浩主任、昆明市发展和改革委员会赵晓莉处长、昆明高新技术开发区管委会郭松常务副主任等省、市、高新区领导及中科院昆明分院、云南省冶金设计研究院、云南大学等科研院所和高校领导参加了此次揭牌仪式。

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