人物简介:

惠峰,1963年出生。1984年8月毕业于西安交通大学电子工程系。中国科学院半导体研究所研究员。中国科学院半导体研究所学术委员会委员。SEMI中国标准委会材料分会委员。中国电子材料行业协会委员。

自大学毕业一直从事研制国防军工器件和电路需要的高质量砷化镓、磷化铟及锗单晶工作。做为重大项目负责人,带领课题组先后完成了国家“七.五”、“八.五”、“九.五”重点科技攻关、“十.五”国家八六三计划重大项目,北京市重大科技项目等10多项科研和产业化任务。解决了晶体生长中热场设计、提高单晶率;优化晶体生长和晶片加工工艺条件及批量生长的重复性等一系列关键工艺技术,多次获得中科院科技进步二、三等奖;实用化生产高质量的砷化镓、磷化铟及锗单晶,达到当代国际同类商品先进水平。用这些材料研制的砷化镓、磷化铟及锗器件和电路,已经广泛应用于国防军工工程。

1990年5月“IC用SI-GaAs热稳定性和均匀性的研究”获中国科学院科技进步三等奖。1993年12月获中国科学院优秀青年。1996年5月,“Φ2″、Φ3″非掺砷化镓单晶(片)的研究”获中国科学院科技进步二等奖。1997年5月,“砷化镓材料、器件与电路”获中国科学院科技进步二等奖。2000年获得国务院颁发的政府特殊津贴。

工作站简介:

惠峰专家工作站,建在云南临沧鑫圆锗业股份有限公司。惠峰研究员多年主持开展了多项国家重大项目并建成拥有自主知识产权、具有国际先进水平砷化镓单晶产业化平台,掌握了半导体单晶产业化生产关键技术。主持高效率太阳能电池用锗单晶及晶片研究,掌握了多项核心技术,研制出3英寸、4英寸低位错密度太阳能电池用锗单晶。建站后将开展“高效率太阳电池用锗单晶及晶片”项目,对于我国航空航天工业、电子产业等具有重要意义。

主要成就:

惠峰专家工作站突破了高效率太阳能电池用锗单晶及开盒即用锗晶片生产的关键技术,掌握了单晶炉设计制造及单晶生长工艺、开盒即用锗晶片切磨抛关键工艺等核心技术,建成了年产30万片开盒即用锗晶片加工生产线,该项成果填补了国内空白,达到国际先进水平。解决了晶体生长中热场设计、提高单晶率、优化晶体生长和晶片加工工艺条件及批量生长的重复性等一系列关键工艺技术,实用化生产高质量的太阳能锗单晶,达到当代国际同类商品先进水平。

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