人物简介:

梁骏吾 (1933.9.18-- ) 男,半导体材料专家,湖北省武汉市人。1955年毕业于武汉大学,1960年获原苏联科学院冶金研究所副博士学位。中国科学院半导体研究所研究员。持“七五”、“八五”重点硅外延攻关,完成了微机控制、光加热、低压硅外延材料生长和设备的研究。获国家科委科技成果二等奖一次、中国科学院科技进步奖一等奖1次、中国科学院重大成果一等奖两次,以及其它国家部级奖励多次。 1997年当选为中国工程院院士。

工作站简介:

梁骏吾院士工作站是由云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、下属子公司云南鑫耀半导体材料有限公司和中国科学院半导体研究所共同建站,依托鑫耀公司的《磷化铟单晶及晶片生产关键技术研发及产业化》项目。针对我国磷化铟单晶产业发展存在的关键技术难题,开展2-4英寸磷化铟多晶合成、磷化铟单晶生长和开盒即用磷化铟晶片加工工艺技术的应用研究。

主要成就:

针对我国磷化铟单晶产业发展存在的关键技术难题,采用世界先进的VGF法(垂直梯度凝固法)生长磷化铟单晶,自主研发晶片加工工艺方法,重点解决2-4英寸VGF法单晶生长工艺中的热场设计、最佳生长参数确定、位错密度控制等关键问题和开盒即用晶片加工工艺中的化学抛光液、化学与机械抛光平衡,抛光速度与质量平衡,晶片表面光洁度等核心参数的确定问题。

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