砷化镓晶片 GaAs Wafer

我们研发并生产的2-6英寸半导体级以及半绝缘级高纯度砷化镓晶体和晶片,成功地填补了国内空白,产品被广泛应用于半导体集成电路以及LED通用照明等领域。

Our 2’’ to 6’’ semi-conducting & semi-insulating GaAs crystal & wafer are the first mass producing line in China. And they are wildly used in semiconductor integrated circuit application & LED general lighting application.


半导体砷化镓规格 Specifications of semi-conducting GaAs wafer

生长方法
  Growth Method 

   VGF 

  掺杂类型
  Dopant 

  P型:锌 
  p-type: Zn 

  N型:硅
  n-type: Si

  晶片形状
  Wafer Shape 

  圆形(尺寸2、3、4、6英寸)
  Round (DIA: 2", 3", 4", 6") 

  晶向 
  Surface Orientation * 

  (100)±0.5° 

  * Other Orientations maybe available upon request 
    其他晶向要求可根据客户需求加工 

Dopant
掺杂

硅 (N 型)
Si (n-type)

锌 (P 型)
Zn (p-type)

载流子浓度
Carrier Concentration (cm-3)

( 0.8-4) × 1018

( 0.5-5) × 1019

迁移率 
  Mobility (cm2/V.S.)

( 1-2.5) × 103

50-120

  位错 
  Etch Pitch Density (cm2) 

 100-5000

3,000-5,000

直径
Wafer Diameter (mm)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

  厚度 
  Thickness (µm) 

350±25

625±25

625±25

  TTV [P/P] (µm) 

≤ 4

≤ 4

≤ 4

  TTV [P/E] (µm) 

≤ 10

≤ 10

≤ 10

  WARP (µm) 

≤ 10

≤ 10

≤ 10

OF (mm)

17±1

22±1

32.5±1

OF / IF (mm)

7±1

12±1

18±1

Polish*

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

*E=Etched, P=Polished(*E=腐蚀, P=抛光)

  **If needed by customer 
      根据客户需要 


半绝缘砷化镓 Specifications of semi-insulating GaAs wafer

生长方法

  Growth Method 

   VGF 

  掺杂类型

  Dopant 

  SI 型:

SI Type:  Carbon 

  晶片形状

  Wafer Shape 

  圆形(尺寸2、3、4、6英寸)

  Round (DIA: 2", 3", 4"6") 

  晶向 

  Surface Orientation * 

  (100)±0.5° 

  * Other Orientations maybe available upon request 

    其他晶向要求可根据客户需求加工 

  电阻率 

  Resistivity  (Ω.cm) 

≥ 1 × 107

≥ 1 × 108

迁移率

Mobility (cm2/V.S)

≥ 5,000

≥ 4,000

  位错 

  Etch Pitch Density (cm2

  1,500-5,000

1,500-5,000

晶片直径

Wafer Diameter (mm)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

150±0.3

  厚度 

  Thickness (µm) 

350±25 

625±25

625±25

675±25 

  TTV [P/P] (µm) 

≤ 4

≤ 4

≤ 4

≤ 4

  TTV [P/E] (µm) 

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 10

  WARP (µm) 

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 15

OF (mm)

17±1

22±1

32.5±1

NOTCH

OF / IF (mm)

7±1

12±1

18±1

N/A

Polish*

E/E,

P/E,

P/P

E/E,

P/E,

P/P

E/E,

P/E,

P/P

E/E,

P/E,

P/P

*E=Etched, P=Polished (*E=腐蚀, P=抛光)

  **If needed by customer 

      根据客户需要 


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